Infineon IKW40N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 80 A, 3引脚 TO-247封装
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
欧时:
Infineon IKW40N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 80 A, 3引脚 TO-247封装
得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
耗散功率 306000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 124 ns
额定功率Max 306 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 306000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 All hard switching applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free