N 通道功率 MOSFET 超过 100A,International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Allied Electronics:
IRF1104LPBF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 40 V, 3-Pin TO-262
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 A
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
产品系列 IRF1104L
输入电容 2900pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 114 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.67 mm
高度 9.65 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free