INFINEON IKW20N60H3FKSA1 单晶体管, IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
欧时:
Infineon IKW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-247封装
得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
立创商城:
沟槽场截止 170W 600V 40A
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 40A 170W TO247-3
针脚数 3
耗散功率 170 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 112 ns
额定功率Max 170 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 170 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 替代能源, All hard switching applications, Alternative Energy, 电源管理, Power Management, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/06/27
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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