IHW30N100R参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHW30N100R概述

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

IHW30N100R中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 412 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 412 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHW30N100R

型号： IHW30N100R

描述：逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

替代型号IHW30N100R