IKD15N60RFATMA1

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IKD15N60RFATMA1概述

单晶体管, IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 250 W 表面贴装型 PG-TO252-3


欧时:
Infineon IKD15N60RFATMA1


得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3


e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 DPAK, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 250 W Surface Mount PG-TO252-3


IKD15N60RFATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 74 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Hard switching topologies up to 1.0kW, General purpose inverters

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IKD15N60RFATMA1
描述:单晶体管, IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

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