单晶体管, IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 250 W 表面贴装型 PG-TO252-3
欧时:
Infineon IKD15N60RFATMA1
得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 DPAK, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 250 W Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 74 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Hard switching topologies up to 1.0kW, General purpose inverters
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99