IPI100N06S3L-04

IPI100N06S3L-04中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

输入电容 26.2 nF

栅电荷 550 nC

漏源极电压Vds 55.0 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 17270pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262

外形尺寸

封装 TO-262

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI100N06S3L-04
型号: IPI100N06S3L-04
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
替代型号IPI100N06S3L-04
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPI100N06S3L-04

Infineon 英飞凌

当前型号

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IPP100N06S3L-04

英飞凌

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