N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
欧时:
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 25V; 57A; 48W; IPAK
额定功率 48 W
极性 N-CH
耗散功率 48W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 900pF @13VVds
下降时间 8.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free