IRLR8103V参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRLR8103V概述

N沟道 30V 91A

Benefits:

立创商城:
N沟道 30V 91A

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IRLR8103V中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 89.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

产品系列 IRLR8103V

漏源极电压Vds 30.0 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 91.0 A

上升时间 9 ns

下降时间 18 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRLR8103V

型号： IRLR8103V

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N沟道 30V 91A

替代型号IRLR8103V