IRLR014PBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 DPAK-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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型号： IRLR014PBF
描述：N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
替代型号IRLR014PBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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