IPB65R150CFD

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IPB65R150CFD概述

D2PAK N-CH 650V 22.4A

Summary of Features:

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650V technology with integrated fast body diode
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Limited voltage overshoot during hard commutation
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Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
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Tighter R DSON max to R DSon typ window
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Easy to design-in
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Lower price compared to 600V CFD technology

Benefits:

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Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
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Self limiting di/dt and dv/dt
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Low Q oss
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Reduced turn on and turn of delay times
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Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

  

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Telecom
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Server
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Solar
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HID lamp ballast
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LED lighting
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eMobility
IPB65R150CFD中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 195.3 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 22.4A

上升时间 7.6 ns

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPB65R150CFD
描述:D2PAK N-CH 650V 22.4A

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