650V,43.3A,N沟道功率MOSFET
Summary of Features:
Benefits:
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 391 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 43.3A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 4440pF @100VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 391000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 HID lighting, Battery charger, Unidirectional and bidirectional DC-DC converter
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free