IXTA4N150HV参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA4N150HV概述

N沟道 1.5kV 4A

N-Channel 1500V 4A Tc 280W Tc Surface Mount TO-263

立创商城:
N沟道 1.5kV 4A

得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin2+Tab TO-263AA

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A

IXTA4N150HV中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 280 W

漏源极电压Vds 1500 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1576pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IXTA4N150HV

型号： IXTA4N150HV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1.5kV 4A