IDT72V2113L10PFI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IDT72V2113L10PFI概述

FIFO（先进先出）存储器，IDT FIFO（先进先出）存储器

（先进先出）存储器，IDT

欧时:
IDT IDT72V2113L10PFI 双 FIFO 存储器, 256K x 18 位，512K x 9 位, 单向总线, 6.5ns随机存取时间

Chip1Stop:
FIFO Mem Sync Dual Depth/Width Uni-Dir 256K x 18/512K x 9 80-Pin TQFP

DeviceMart:
IC FIFO SUPERSYNCII 10NS 80TQFP

IDT72V2113L10PFI中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 100 MHz

存取时间 6.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 80

封装 LQFP-80

外形尺寸

长度 14 mm

宽度 14 mm

高度 1.4 mm

封装 LQFP-80

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IDT72V2113L10PFI

型号： IDT72V2113L10PFI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：FIFO（先进先出）存储器，IDT FIFO（先进先出）存储器

替代型号IDT72V2113L10PFI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IDT72V2113L10PFI Integrated Device Technology 艾迪悌	当前型号	当前型号
72V2113L10PFI 艾迪悌	完全替代	IDT72V2113L10PFI和72V2113L10PFI的区别
72V2113L10PF 艾迪悌	完全替代	IDT72V2113L10PFI和72V2113L10PF的区别
72V2113L10PFI8 艾迪悌	完全替代	IDT72V2113L10PFI和72V2113L10PFI8的区别