IS42VM32400H-6BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42VM32400H-6BLI-TR概述

128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r

Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA

立创商城:
IS42VM32400H 6BLI TR

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R

IS42VM32400H-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42VM32400H-6BLI-TR

型号： IS42VM32400H-6BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r

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替代型号IS42VM32400H-6BLI-TR

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IS42VM32400H-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
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