INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V,
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
### P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 0.6 ohm, -4.5 V, -1.5 V
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin Micro
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Newark:
# INFINEON IRLML6302PBF MOSFET Transistor, P Channel, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
额定功率 0.54 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 P-CH
耗散功率 400 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.78A
输入电容Ciss 97pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Active
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLML6302PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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