IRF7353D1PBF概述
SOIC N-CH 30V 6.5A
N-Channel 30V 6.5A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
IRF7353D1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2 W
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-CH
耗散功率 20 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IRF7353D1PBF