IRF6609TR1概述
Direct-FET N-CH 20V 150A
N-Channel 20V 31A Ta, 150A Tc 1.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MT
得捷:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 150A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
IRF6609TR1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 31.0 A
通道数 1
正向电压 800 mV
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6609
阈值电压 2.45 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 6290pF @10VVds
下降时间 9.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET-MT
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MT
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IRF6609TR1