PQFN N-CH 30V 21A
N-Channel 30V 21A Ta, 40A Tc Surface Mount PQFN 3x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
贸泽:
MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 3170pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta, 37W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 3X3-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.05 mm
封装 3X3-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLHM630TR2PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLHM630TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRLHM630TR2PBF和IRLHM630TRPBF的区别 |