IRS21956SPBF

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IRS21956SPBF概述

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC


欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


艾睿:
Floating Input, High and Low Dual mode Side Driver


IRS21956SPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 15ns

输出接口数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 20

封装 SOIC-20

外形尺寸

长度 12.98 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.64 mm

封装 SOIC-20

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRS21956SPBF引脚图与封装图
IRS21956SPBF电路图
在线购买IRS21956SPBF
型号: IRS21956SPBF
描述:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

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