IRF7509PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF7509PBF中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N+P

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.7A/2A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 µSOIC

外形尺寸

封装 µSOIC

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号： IRF7509PBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IRF7509PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V

替代型号IRF7509PBF