IRFS5620PBF概述
INFINEON IRFS5620PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 24 A, 200 V, 63.7 mohm, 10 V, 3 V
N-Channel 200V 24A Tc 144W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
e络盟:
INFINEON IRFS5620PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 24 A, 200 V, 63.7 mohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; D2PAK
Win Source:
DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFS5620PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 144 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0637 Ω
极性 N-CH
耗散功率 144 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 14.6 ns
输入电容Ciss 1710pF @50VVds
下降时间 9.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 144W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IRFS5620PBF
型号： IRFS5620PBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IRFS5620PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 24 A, 200 V, 63.7 mohm, 10 V, 3 V