INFINEON IRS2118SPBF 芯片, 高边驱动器, 反相输入
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高侧,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧配置。
欧时:
Infineon IRS2118SPBF MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装
得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
e络盟:
INFINEON IRS2118SPBF 芯片, 高边驱动器, 反相输入
艾睿:
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube
安富利:
Power MOSFET and IGBT Driver, Single Channel/Hi Side, 600V, 8-pin SOIC, Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.6A 1-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube
TME:
Driver; high-side switch, gate driver; 290÷600mA; 600V; 625mW
Verical:
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube
额定功率 625 mW
上升/下降时间 75ns, 35ns
输出接口数 1
输出电压 600 V
输出电流 290.600 mA
通道数 1
针脚数 8
耗散功率 625 mW
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRS2118SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRS2118STRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRS2118SPBF和IRS2118STRPBF的区别 |