IRS2118SPBF

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IRS2118SPBF概述

INFINEON  IRS2118SPBF  芯片, 高边驱动器, 反相输入

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高侧,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧配置。


欧时:
Infineon IRS2118SPBF MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


e络盟:
INFINEON  IRS2118SPBF  芯片, 高边驱动器, 反相输入


艾睿:
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube


安富利:
Power MOSFET and IGBT Driver, Single Channel/Hi Side, 600V, 8-pin SOIC, Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.6A 1-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


TME:
Driver; high-side switch, gate driver; 290÷600mA; 600V; 625mW


Verical:
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube


IRS2118SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 625 mW

上升/下降时间 75ns, 35ns

输出接口数 1

输出电压 600 V

输出电流 290.600 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IRS2118SPBF引脚图与封装图
IRS2118SPBF电路图
在线购买IRS2118SPBF
型号: IRS2118SPBF
描述:INFINEON  IRS2118SPBF  芯片, 高边驱动器, 反相输入
替代型号IRS2118SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRS2118SPBF

Infineon 英飞凌

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IRS2118STRPBF

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IRS2118SPBF和IRS2118STRPBF的区别

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