INFINEON IRS21867STRPBF 芯片, 驱动器, IGBT/MOSFET, 4A, 8SOIC
电动机控制器和驱动器,
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
欧时:
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艾睿:
Driver 600V 4A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
MOSFET DRVR 600V 4A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
IRS2186 系列 10 - 2- Vout 4 A 170 ns 高边和低边 驱动器 - SOIC-8
Chip1Stop:
Driver 600V 4A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -4÷4A; 625mW; SO8
Verical:
Driver 600V 4A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# INFINEON IRS21867STRPBF IGBT / MOSFET, 170 ns, SOIC-8
儒卓力:
**2xGATE DRIVER 4,0A 600V SOIC8 **
Win Source:
IC MOSFET DRIVER
电源电压DC 10.0V min
上升/下降时间 22ns, 18ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
静态电流 240 µA
上升时间 38 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 38 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRS21867STRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRS21867SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRS21867STRPBF和IRS21867SPBF的区别 |