IPB065N15N3G

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IPB065N15N3G概述

MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


力源芯城:
150V,6.5mΩ,130A,N沟道功率MOSFET


IPB065N15N3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

输入电容Ciss 5500pF @75VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

IPB065N15N3G引脚图与封装图
IPB065N15N3G引脚图
IPB065N15N3G封装焊盘图
在线购买IPB065N15N3G
型号: IPB065N15N3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPB065N15N3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB065N15N3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB180N03S4L-H0

英飞凌

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IPB065N15N3G和IPB180N03S4L-H0的区别

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