IPI65R310CFD参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPI65R310CFD概述

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET

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IPI65R310CFD

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MOSFET N-Ch 650V 11.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

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MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262

IPI65R310CFD中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 310 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 104.2 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 11.4A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 104.2 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104.2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI65R310CFD

型号： IPI65R310CFD

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

替代型号IPI65R310CFD