INFINEON IPAW60R280CEXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V 新
通孔 N 通道 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 全封装，宽爬电距离
立创商城:
N沟道 600V 19.3A
欧时:
Infineon MOSFET IPAW60R280CEXKSA1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
贸泽:
MOSFET CONSUMER
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 32W; TO220FP-W
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON IPAW60R280CEXKSA1 MOSFET, N-CH, 600V, 19.3A, TO-220FP-3 New
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 950pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 32000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17