IPN60R1K0CEATMA1概述
INFINEON IPN60R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 3 V 新
表面贴装型 N 通道 600 V 6.8A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# INFINEON IPN60R1K0CEATMA1 MOSFET, N-CH, 600V, 6.8A, SOT-223-3 New
IPN60R1K0CEATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 6.8A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 280pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPN60R1K0CEATMA1
型号： IPN60R1K0CEATMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPN60R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 3 V 新