IPN60R3K4CEATMA1

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IPN60R3K4CEATMA1概述

INFINEON  IPN60R3K4CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 600 V, 3.06 ohm, 10 V, 3 V 新

Description:

**Cost-effective drop-in replacement for DPAK**

is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.

Summary of Features:

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Drop-in replacement for DPAK at lower cost
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Space savings in designs with low power dissipation
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Comparable thermal behavior to DPAK

Target Applications:

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Lighting
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Adapter
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Consumer
IPN60R3K4CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.06 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 93pF @100VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IPN60R3K4CEATMA1引脚图与封装图
IPN60R3K4CEATMA1引脚图
IPN60R3K4CEATMA1封装图
IPN60R3K4CEATMA1封装焊盘图
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型号: IPN60R3K4CEATMA1
描述:INFINEON  IPN60R3K4CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 600 V, 3.06 ohm, 10 V, 3 V 新

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