IPI70N10S3-12参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPI70N10S3-12概述

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

OptiMOS™T 功率 MOSFET

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262

AMEYA360:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

IPI70N10S3-12中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 70A

输入电容Ciss 3350pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.52 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 48V inverter, HID lighting, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI70N10S3-12

型号： IPI70N10S3-12

描述：的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

替代型号IPI70N10S3-12