ISC1210EB100K

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ISC1210EB100K概述

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 185mA 2Ω DCR 1210 Bulk

10µH Shielded Wirewound Inductor 185mA 2Ohm Max 1210 3225 Metric


得捷:
FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD


Chip1Stop:
Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 185mA 2Ohm DCR 1210 Bulk


ISC1210EB100K中文资料参数规格
技术参数

额定电流 185 mA

容差 ±10 %

电感 10 μH

自谐频率 30 MHz

测试频率 2.52 MHz

电阻DC) ≤2 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.49 mm

高度 2.21 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISC1210EB100K
型号: ISC1210EB100K
制造商: Vishay Dale 威世达勒
描述:Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 185mA 2Ω DCR 1210 Bulk
替代型号ISC1210EB100K
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Vishay Dale 威世达勒

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