IPN50R1K4CEATMA1

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IPN50R1K4CEATMA1概述

INFINEON  IPN50R1K4CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V 新

Description:

**Cost-effective drop-in replacement for DPAK**

is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.

Summary of Features:

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Drop-in replacement for DPAK at lower cost
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Space savings in designs with low power dissipation
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Comparable thermal behavior to DPAK

Target Applications:

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Lighting
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Adapter
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Consumer
IPN50R1K4CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 178pF @100VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IPN50R1K4CEATMA1
描述:INFINEON  IPN50R1K4CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V 新

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