ILSB1206ER6R8K参数规格_中文资料_数据手册PDF

ILSB1206ER6R8K概述

Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 45Q-Factor 25mA 800mOhm DCR 1206 T/R

屏蔽多层器 800 毫欧最大 1206（3216 公制）

得捷:
FIXED IND 6.8UH 25MA 800MOHM SMD

贸泽:
Fixed Inductors 6.8uH 10%

Chip1Stop:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 45Q-Factor 25mA 800mOhm DCR 1206 T/R

ILSB1206ER6R8K中文资料参数规格

技术参数

额定电流 25 mA

容差 ±10 %

电感 6.8 μH

自谐频率 34 MHz

测试频率 4 MHz

电阻DC） ≤800 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电阻DC Max 800 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ILSB1206ER6R8K

型号： ILSB1206ER6R8K

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 45Q-Factor 25mA 800mOhm DCR 1206 T/R