IRGB20B60PD1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRGB20B60PD1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 215 W

产品系列 IRGB20B60PD1

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 28 ns

额定功率Max 215 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRGB20B60PD1

型号： IRGB20B60PD1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin 3+Tab TO-220AB

替代型号IRGB20B60PD1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRGB20B60PD1

Infineon 英飞凌

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IRGB20B60PD1PBF

英飞凌

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IRGB20B60PD1和IRGB20B60PD1PBF的区别