IJW120R100T1FKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IJW120R100T1FKSA1概述

IGBT 1000V TO247-3

JFET N-Channel 26A 190W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
JFET N-CHAN 26A TO247-3

艾睿:
Silicon Carbide- Junction Field Effect Transistor

IJW120R100T1FKSA1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 100 mΩ

漏源极电压Vds 1200 V

输入电容Ciss 1550pF @19.5VVgs

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IJW120R100T1FKSA1

描述：IGBT 1000V TO247-3