IRF7507PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRF7507PBF图片1

IRF7507PBF图片2

IRF7507PBF概述

Micro N+P 20V 2.4A/1.7A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Fast Switching

.: Low Profile less than 1.1mm

.: Dual N and P-Channel MOSFET

得捷:
MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8

贸泽:
MOSFET MICRO-8

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro

IRF7507PBF中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 140 mΩ

极性 N+P

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 2.4A/1.7A

输入电容Ciss 260pF @15VVds

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Micro-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 1.11 mm

封装 Micro-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF7507PBF

型号： IRF7507PBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Micro N+P 20V 2.4A/1.7A

替代型号IRF7507PBF

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRF7507PBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRF7507TRPBF

英飞凌

功能相似

IRF7507PBF和IRF7507TRPBF的区别

IRF7507TR

英飞凌

功能相似

IRF7507PBF和IRF7507TR的区别