IPP045N10N3G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPP045N10N3G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 100 V

封装参数

封装 TO-220-3-123

外形尺寸

封装 TO-220-3-123

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买IPP045N10N3G

型号： IPP045N10N3G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：100V,100A,N沟道功率MOSFET