IPD350N06LG

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IPD350N06LG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 68 W

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 600pF @30VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD350N06LG
型号: IPD350N06LG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:60V,47mΩ,29A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPD350N06LG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD350N06LG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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