800V,10.8A,N沟道功率MOSFET
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
极性 N-CH
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 10.8A
上升时间 15 ns
下降时间 10 ns
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册