IPA80R460CE

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IPA80R460CE概述

800V,10.8A,N沟道功率MOSFET

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R DSon*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @ 400V
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Low gate charge Q g
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Field-proven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding price/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

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LED lighting
IPA80R460CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 10.8A

上升时间 15 ns

下降时间 10 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPA80R460CE
描述:800V,10.8A,N沟道功率MOSFET

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