IPD250N06N3 G

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IPD250N06N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 25 mΩ

耗散功率 36 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 200 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1200pF @30VVds

额定功率Max 36 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD250N06N3 G
型号: IPD250N06N3 G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3Pin2+Tab TO-252

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