IRF7451PBF

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IRF7451PBF概述

SOIC N-CH 150V 3.6A

Benefits:

.
RoHS Compliant
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Industry-leading quality
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Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
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Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
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Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

得捷:
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8; HEXFET®


IRF7451PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 3.6A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 990pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF7451PBF
描述:SOIC N-CH 150V 3.6A
替代型号IRF7451PBF
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