N-沟道 800 V 5.7 A 950 mΩ 31 nC CoolMOS CE 功率 晶体管 - TO-220FP
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
针脚数 3
漏源极电阻 0.83 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 5.7A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 785pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 32W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPA80R1K0CEXKSA1 英飞凌 | 类似代替 | IPA80R1K0CEXKSA2和IPA80R1K0CEXKSA1的区别 |