IHLP6767GZERR82M11参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHLP6767GZERR82M11概述

Inductor Power Shielded Wirewound 820nH 20% 100kHz 56.5A 1.08mOhm DCR 6767 T/R

屏蔽模制器 1.08 毫欧最大非标准

得捷:
FIXED IND 820NH 56.5A 1.08 MOHM

Allied Electronics:
IHLP2525EZ-01 Series WireWound SMD Inductor w/ Metal Core, 820 nH +/-20%

Chip1Stop:
Inductor Power Shielded Wirewound 820nH 20% 100KHz 56.5A 1.08mOhm DCR 6767 T/R

IHLP6767GZERR82M11中文资料参数规格

技术参数

额定电流 56.5 A

容差 ±20 %

电感 820 nH

自谐频率 36 MHz

电阻 980 µΩ

测试频率 100 kHz

电阻DC） ≤1.29 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 6767

外形尺寸

长度 17.15 mm

宽度 17.15 mm

高度 7 mm

封装 6767

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHLP6767GZERR82M11

型号： IHLP6767GZERR82M11

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Inductor Power Shielded Wirewound 820nH 20% 100kHz 56.5A 1.08mOhm DCR 6767 T/R