IPB180N04S4-H0

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IPB180N04S4-H0概述

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Summary of Features:

N-channel - Enhancement mode

AEC qualifie MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

• Green product RoHS compliant

Ultra low Rdson

100% Avalanche tested

Benefits:

.
world"s lowest RDS at 40V on
.
highest current capability
.
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
.
robust packages with superior quality and reliability
.
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB180N04S4-H0中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 13800pF @25VVds

下降时间 49 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IPB180N04S4-H0
描述:的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
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