IPP320N20N3G中文资料参数规格 技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPP320N20N3G 型号： IPP320N20N3G
描述：200V,34A,N沟道功率MOSFET
