IGP30N60T

IGP30N60T图片1
IGP30N60T中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 187000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IGP30N60T
型号: IGP30N60T
制造商: Infineon 英飞凌
描述:低损耗IGBT的TRENCHSTOP和场终止技术 Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台