IXYN30N170CV1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXYN30N170CV1概述

IGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

IGBT 1700V 88A 680W Chassis Mount SOT-227B

得捷:
1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

欧时:
XPT IGBT 30A 1700V SOT227

贸泽:
IGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

艾睿:
High Voltage XPTTM IGBT w/ Diode

IXYN30N170CV1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 680 W

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 160 ns

额定功率Max 680 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYN30N170CV1

型号： IXYN30N170CV1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT