IPD220N06L3G

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IPD220N06L3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD220N06L3G
型号: IPD220N06L3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:60V,30A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPD220N06L3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD220N06L3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD230N06LG

英飞凌

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IPD220N06L3G和IPD230N06LG的区别

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