IPB037N06N3G

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IPB037N06N3G中文资料参数规格
技术参数

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 8000pF @30VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB037N06N3G
型号: IPB037N06N3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:60V,90A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPB037N06N3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB037N06N3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB037N06N3GATMA1

英飞凌

完全替代

IPB037N06N3G和IPB037N06N3GATMA1的区别

IPB034N06L3GATMA1

英飞凌

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IPB034N06N3G

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