IPU80R1K4CE

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IPU80R1K4CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 3.9A

上升时间 15 ns

下降时间 12 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IPU80R1K4CE
型号: IPU80R1K4CE
制造商: Infineon 英飞凌
描述:800V,3.9A,N沟道功率MOSFET

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