IPP05CN10NG

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IPP05CN10NG中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 12000pF @50VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPP05CN10NG
描述:100V,100A,N沟道功率MOSFET

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